Ordered Arrays of SiGe Islands from Low-Energy PECVD

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Ordered Arrays of SiGe Islands from Low-Energy PECVD

SiGe islands have been proposed for applications in the fields of microelectronics, optoelectronics and thermoelectrics. Although most of the works in literature are based on MBE, one of the possible advantages of low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition (LEPECVD) is a wider range of deposition rates, which in turn results in the possibility of growing islands with a high Ge concent...

متن کامل

Bright photoluminescence from ordered arrays of SiGe nanowires grown on Si(111)

We report on the optical properties of SiGe nanowires (NWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) in ordered arrays on SiO2/Si(111) substrates. The production method employs Au catalysts with self-limited sizes deposited in SiO2-free sites opened-up in the substrate by focused ion beam patterning for the preferential nucleation and growth of these well-organized NWs. The NWs thus produced have ...

متن کامل

the role of russia in transmission of energy from central asia and caucuses to european union

پس ازفروپاشی شوروی،رشد منابع نفت و گاز، آسیای میانه و قفقاز را در یک بازی ژئوپلتیکی انرژی قرار داده است. با در نظر گرفتن این منابع هیدروکربنی، این منطقه به یک میدانجنگ و رقابت تجاری برای بازی های ژئوپلتیکی قدرت های بزرگ جهانی تبدیل شده است. روسیه منطقه را به عنوان حیات خلوت خود تلقی نموده و علاقمند به حفظ حضورش می باشد تا همانند گذشته گاز طبیعی را به وسیله خط لوله مرکزی دریافت و به عنوان یک واس...

15 صفحه اول

Highly Ordered Amorphous Silicon-Carbon Alloys Obtained by RF PECVD

We have shown that close to stoichiometry RF PECVD amorphous silicon carbon alloys deposited under silane starving plasma conditions exhibit a tendency towards c-SiC chemical order. Motivated by this trend, we further explore the e ect of increasing RF power and H2 dilution of the gaseous mixtures, aiming to obtain the amorphous counterpart of c-SiC by the RF-PECVD technique. Doping experiments...

متن کامل

Size Evolution of Ordered SiGe Islands Grown by Surface Thermal Diffusion on Pit-Patterned Si(100) Surface

The ordered growth of self-assembled SiGe islands by surface thermal diffusion in ultra high vacuum from a lithographically etched Ge stripe on pit-patterned Si(100) surface has been experimentally investigated. The total surface coverage of Ge strongly depends on the distance from the source stripe, as quantitatively verified by Scanning Auger Microscopy. The size distribution of the islands a...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Nanoscale Research Letters

سال: 2010

ISSN: 1931-7573,1556-276X

DOI: 10.1007/s11671-010-9773-0